主流DDR內(nèi)存橫向評測(完整版) |
發(fā)布時間: 2012/7/26 10:41:13 |
雖然現(xiàn)在DDR2內(nèi)存嶄露頭角,但是由于產(chǎn)能問題導(dǎo)致價格高高在上,難以普及。也正是因?yàn)檫@個原因,許多原本應(yīng)該支持DDR2的主板紛紛改為支持DDR內(nèi)存,另一方面,K8平臺仍然以DDR內(nèi)存為主。因此在DDR2內(nèi)存產(chǎn)能問題解決之前,DDR內(nèi)存還將是市場中的中流砥柱。 年底內(nèi)存價格不斷下滑,正是升級內(nèi)存的好時機(jī),不過市場上內(nèi)存品牌繁多,質(zhì)量參差不齊,因此我們對市場上主流的內(nèi)存進(jìn)行了最嚴(yán)格的最優(yōu)化參數(shù)測試、超頻測試和穩(wěn)定性、兼容性測試,打算購買內(nèi)存的讀者可以根據(jù)我們的測試結(jié)果找到最適合自己的內(nèi)存產(chǎn)品。 DDR內(nèi)存,讓我們看清楚 速度無極限 根據(jù)JEDEC(美國電子器件工程聯(lián)合委員會)官方制定的DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來看,目前最高的DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)仍然是PC3200,即我們常說的DDR400。DDR400也分不同等級,根據(jù)內(nèi)存工作參數(shù)的不同,分為DDR400A、DDR400B和DDR400C三個等級。CL-tRCD-tRP參數(shù)值也在一定程度上影響到內(nèi)存的性能,這幾個值越小,內(nèi)存信號傳輸?shù)难舆t時間就越短,自然性能更好。大家在購買的時候可以注意內(nèi)存上的標(biāo)貼,正規(guī)的品牌產(chǎn)品都會標(biāo)出內(nèi)存的詳細(xì)工作參數(shù)(內(nèi)存參數(shù)名詞解釋見小貼士)。 另外,雖然各大內(nèi)存廠商都已經(jīng)推出了DDR433/466/500的產(chǎn)品,不過這些都是廠商自己定義的標(biāo)準(zhǔn),并沒有一個統(tǒng)一制定的官方標(biāo)準(zhǔn)。 對于超頻玩家來說,能達(dá)到更高工作頻率的DDR500甚至DDR600才能滿足他們的要求。特別是在最新的Socket939 K8平臺上,由于K8的倍頻沒有鎖定,完全可以通過降倍頻升外頻來提升系統(tǒng)性能,而在這樣的平臺上,達(dá)到300MHz以上的外頻也是很尋常的事情,這樣的需求也刺激內(nèi)存廠商不斷推出更高頻率的產(chǎn)品。 做工很重要 對于內(nèi)存來說,最重要的就是穩(wěn)定性,而內(nèi)存的做工水平直接會影響到內(nèi)存的穩(wěn)定性以及超頻性能。我們在這里只介紹幾點(diǎn)辨別內(nèi)存做工水平的簡單方法。 PCB板設(shè)計(jì):6層PCB板是標(biāo)配。為了在高頻下得到更好的抗干擾能力,JEDEC和Intel對DDR400內(nèi)存的設(shè)計(jì)都要求必須使用6層PCB板?偟膩碚f,PCB板上采用大面積鋪銅的設(shè)計(jì),一方面有利于散熱,另一方面也有助于抗干擾,PCB上元件的排列過于緊密的話,元件之間的信號干擾也會增大,不利于內(nèi)存的穩(wěn)定性。 金手指工藝:目前內(nèi)存金手指鍍金的工藝主要有電鍍和化學(xué)鍍兩種。采用電鍍工藝的金手指相對于采用化學(xué)鍍的要耐用一些。要識別電鍍或化學(xué)鍍非常簡單。從圖中可以看到,由于制作工藝的需要,采用電鍍工藝的金手指的末端一般會有一個小引腳,而采用化學(xué)鍍就不會有這個引腳,用這個方法就可以初步判斷金手指采用的鍍金工藝。 內(nèi)存上的阻容元件:雜牌內(nèi)存為什么這么便宜?我們可以從幾個地方來簡單地鑒別內(nèi)存是否偷工減料。第一就是金手指旁邊的一排電容,雜牌內(nèi)存一般把這一排全省掉了;第二,內(nèi)存的第一個金手指引出的線路中應(yīng)該有一個電容,用來過濾雜波;第三,一般來說每一個內(nèi)存芯片的參考電壓針腳引出的電路(一般線路都比較寬)中也應(yīng)該有去耦電容。 通過上面簡單的方法我們已經(jīng)可以初步判斷一款內(nèi)存的做工好壞。不過內(nèi)存顆粒本身的品質(zhì)對于內(nèi)存的超頻性來說也是非常重要的。所以出現(xiàn)做工普通的內(nèi)存但超頻性能出眾這樣的情況也并不奇怪。但可以肯定的是,做工好的內(nèi)存在穩(wěn)定性和耐用程度上,大大好于做工差的產(chǎn)品。 小貼士 內(nèi)存參數(shù)名詞解釋 CAS(Column Address Strobe) Latency:列地址選通脈沖延遲時間,即SDRAM內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要延遲多少個時鐘周期才執(zhí)行該指令。這個參數(shù)越小,內(nèi)存的反應(yīng)速度越快,可以設(shè)置為2.0、2.5、3.0。我們一般簡稱其為CL值。 RAS-to-CAS delay(tRCD):從內(nèi)存行地址轉(zhuǎn)到列地址的延遲時間。即從SDRAM行地址選通脈沖(RAS,Row Address Strobe)信號轉(zhuǎn)到列地址選通脈沖信號之間的延遲周期,也是從1~15可調(diào)節(jié),越小越快。 Row-precharge delay(tRP):內(nèi)存行地址選通脈沖信號預(yù)充電時間。調(diào)節(jié)在刷新SDRAM之前,行地址選通脈沖信號預(yù)充電所需要的時鐘周期,從1~7可調(diào),越小越快。 Row-active delay(tRAS):內(nèi)存行地址選通延遲時間,供選擇的數(shù)值有1~15,數(shù)值越小越快。 測試方案簡述 本次測試我們一共收到了來自6家廠商的送測產(chǎn)品,另外還加入了在市場中購買的HY散裝DDR400以及英飛凌DDR400內(nèi)存?紤]到目前實(shí)際應(yīng)用的情況,我們選擇的是256MB×2的雙通道套裝,另外還加入了幾款DDR500以上、512MB高端內(nèi)存的測試。測試分三大部分,第一部分是優(yōu)化時序測試,主要考查內(nèi)存所能達(dá)到的最低延遲參數(shù)(用CPU-Z讀取內(nèi)存SPD參數(shù)信息);第二部分包括超頻測試,考查內(nèi)存在默認(rèn)參數(shù)下能達(dá)到的最高頻率與性能;第三部分,針對目前的主流主板進(jìn)行兼容性測試(分別在K8T800Pro、i915G、i865PE平臺上運(yùn)行SuperPI測試)。 測試平臺方面,主板和CPU的選擇非常重要。首先主板必須能支持AGP/PCI鎖頻,否則在高外頻下,同時升高的AGP/PCI頻率會導(dǎo)致顯卡、聲卡工作異常,使得超頻失敗。CPU的選擇也很重要,因?yàn)橹挥性贔SB頻率∶DRAM頻率為1∶1的情況下,才能完全發(fā)揮內(nèi)存的性能。因此,我們選擇了ABIT IS7(i865PE)主板和一塊可以調(diào)節(jié)倍頻的工程版P3 3.2C GHz,在設(shè)置CPU倍頻為8的情況下,CPU可以穩(wěn)定工作在270MHz外頻以上。此外,為了保證CPU不成為超頻的瓶頸,我們還將CPU電壓提升到1.625V。而為了完全發(fā)揮DDR500以上內(nèi)存的實(shí)力,我們選擇了可以達(dá)到300MHz以上外頻的Athlon64 3000+和ABIT KV8 Pro主板。 至于用于考查內(nèi)存超頻后穩(wěn)定性的軟件,我們選擇了SuperPi,同時其它性能測試軟件也可以在一定程度上考驗(yàn)內(nèi)存的穩(wěn)定性。不過,即便內(nèi)存可以長時間正常運(yùn)行SuperPi,但是也不能完全保證內(nèi)存在更高強(qiáng)度、更長時間的運(yùn)行情況下也能穩(wěn)定工作,但這并不影響我們對內(nèi)存穩(wěn)定性的對比測試,這樣的測試結(jié)果仍然具備參考價值。 最后根據(jù)測試的結(jié)果,我們會選出超頻性能和性能突出的產(chǎn)品進(jìn)行推薦。 測試平臺 CPU: P4 3.2C GHz(工程版,倍頻設(shè)置為8,工作電壓設(shè)置為1.625V) Athlon64 3000+(Socket754,將倍頻設(shè)置為5) P4 530 (3.0E GHz) 主板:ABIT IS7 (i865PE) ABIT KV8 Pro (K8T800Pro) ASUS P5GDC DELUXE (i915P) 顯卡:Radeon 9800SE 硬盤:希捷7200.7 80GB 操作系統(tǒng):WinXP Professional English+SP1 DirectX9.0c 測試軟件:SuperPi 8.1(用于拷機(jī)) CPU-Z 1.24(用于讀取SPD信息) SiSoftware Sandra2004SP2 PCMark04 DOOM3 注:測試中內(nèi)存電壓統(tǒng)一設(shè)置為2.7V,DDR400內(nèi)存的最優(yōu)化參數(shù)測試在ASUS P5GDC-DELUXE主板上完成,DDR400組超頻測試在ABIT IS7主板上完成,DDR500以上組的最優(yōu)化參數(shù)與超頻測試在 ABIT KV8 Pro主板上完成,超頻以5MHz為一級逐級遞增。 參測產(chǎn)品一覽 DDR400組(256MB×2) A-DATA威剛 Vitesta DDR400 單條參考價格:390元 威剛給自己的中低端產(chǎn)品命名為V-DATA系列,而高端則命名為A-DATA。本次測試我們收到的是兩條A-DATA Vitesta DDR400 256MB內(nèi)存。和低端的V-DATA不同,A-DATA系列加裝了紅色的散熱片,在超頻的時候有更好的散熱性能。把A-DATA Vitesta散熱片取下來后,可以看到,A-DATA Vitesta采用了PSC(力晶半導(dǎo)體)的5ns顆粒,編號為A2S56D30BTP -5,剛好符合DDR400的要求。 A-DATA Vitesta的PCB板邊沿還標(biāo)上了PCB的層號,正面可以看到第一、二、三層的編號,反面可以看到第四、五、六層的編號。 A-DATA Vitesta整體做工中規(guī)中矩,不過既然A-DATA Vitesta定位高端,那它一定有過人之處,那就是它的CL-tRCD-tRP參數(shù)為2.5-3-3,達(dá)到了DDR400A的標(biāo)準(zhǔn)。對于不超頻的用戶,A-DATA Vitesta能提供DDR400內(nèi)存所能達(dá)到的最好性能。 Apacer宇瞻 金牌DDR400 單條參考價格:340元 宇瞻送測的是Apacer金牌DDR400內(nèi)存。最引人注目的地方就是內(nèi)存顆粒上的Apacer金屬標(biāo)牌。Apacer金牌DDR400內(nèi)存采用了和A-DATA DDR400同樣的PCB板設(shè)計(jì)(惟一不同的是金手指采用化學(xué)鍍金工藝)。雖然在元件方面,并不算特別突出,但Apacer金牌DDR400內(nèi)存采用了英飛凌的顆粒,編號為HYB25D256807BT -5,標(biāo)準(zhǔn)頻率為200MHz,也是口碑比較好的型號。 Apacer金牌DDR400的CL-tRCD-tRP參數(shù)為3-4-4,只達(dá)到DDR400C的標(biāo)準(zhǔn),不過Apacer這款內(nèi)存的CL-tRCD-tRP參數(shù)對于這樣的內(nèi)存顆粒來說設(shè)置得也太保守了。 FUHAO富豪 富豪DDR400 單條參考價格:335元 富豪本次送測的DDR400內(nèi)存和以往的產(chǎn)品不一樣,沒有采用現(xiàn)代的內(nèi)存顆粒,而是采用的是茂矽的內(nèi)存顆粒,編號為V58C2256804SAT5B,可以看出是5ns的產(chǎn)品,標(biāo)準(zhǔn)頻率為200MHz,符合DDR400的要求。以前金士頓也采用過茂矽的顆粒,而且那一批內(nèi)存的超頻性能相當(dāng)不錯。在做工方面,F(xiàn)UHAO富豪DDR400并沒有特別引人注目的地方,算是中規(guī)中矩,用料也比較充足,沒有空焊點(diǎn),金手指采用了電鍍的工藝。FUHAO富豪DDR400的CL-tRCD-tRP參數(shù)為3-3-3,達(dá)到DDR400B的水平,即便是在不超頻的情況下,也能提供不錯的性能。 Hynix散裝內(nèi)存 散裝 DDR400 單條參考價格:270元 我們購買的這種Hynix散裝內(nèi)存是市場中最常見的內(nèi)存,在做工方面,可以說是最差的,金手指旁邊的元件全部被省略了,去耦電容一個也沒有,留下一堆空焊點(diǎn),PCB板背面沒有采用大面積鋪銅,金手指采用的是化學(xué)鍍工藝,而且看起來也不夠飽滿?梢哉f在做工方面,這款內(nèi)存是偷工減料的“典范”。而且,內(nèi)存標(biāo)簽上的內(nèi)存規(guī)格也不符合標(biāo)準(zhǔn),把DDR400標(biāo)成了PC400。
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